良くあるご質問

Q:GaNバルクのHVPE製法とは?

A:GaN結晶製造方法は気相法と液相法に大別され、気相法としてはHydride-Vapor Phase Epitaxy(HVPE)が、液相法としては水晶や酸化亜鉛(ZnO)結晶の合成法として実績のある水熱合成法を展開した安熱合成法(アモ ノサーマル法)や、フラックス法などがあります。
現状ではHVPE法がGaN基板の作製法として最も一般的に用いられています。原料に金属ガリウム(Ga)と塩化水素ガス(HCl)の反応で生成される塩化ガリウム(GaCl)とアンモニアガス(NH3)を用い、キャリアガスとともに反応炉に供給し、種基板上にGaN結晶を堆積させることができます。HVPE法の特徴は、異種基板上へのGaN結晶成長が可能なことと、成長速度が数百μm/hと速いことであります。

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