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エピウェハー/Epi Wafer

エピ/EpiとはEpitaxy(エピタキシー)、またはEpitaxial(エピタキシャル)の略として、基板上に薄膜を製造する行程(エピタキシャル成長)、または基板上に成長した薄膜そのものを指すことがある。エピを形成させたウェハーは半導体素子を製造するうえで重要な素材であり、基板上に金属酸化物薄膜を成長させたMOエピや単結晶シリコン薄膜のSOIエピ (Silicon on Insulator) などが製造されている。
弊社では主にMOCVD法によるエピウェハーを主に取り扱っている。

■種類
1) Sapphire production:サファイア基板(PSS基板含む)上にGaN層など薄膜を成長させたエピウェハー
2) GaAs production:GaAs基板上に各種薄膜を成長させたエピウェハー
3) InP production:InP基板上に各種薄膜を成長させたエピウェハー
※基板上(Substrate)に成長させる薄膜の仕様はユーザー様より指定していただきます。

Sapphire production

※サイズ:Φ2”、Φ4”、Φ6”、特殊サイズ対応可能
GaN on Sapphire
GaN on SiC
GaN on Silicon
AIN on Sapphire

■GaN on Sapphire

Sapphire Substrate
2インチ4インチ
Dimensions Φ50.8 ± 0.1mmΦ100 ± 0.1mm
Thickness 430 ± 20μm650 ± 20μm
Orientation C-plane、0.2° Off ± 0.1°( to m-plane)、0° Off to A-plane
Orientation Flat A-plane ± 0.2°
Orientation Flat Lenth 16 ± 1mm30 ± 1mm
Fornt Side CMP、Ra≦0.2nm
Back Side Lapping ( Ra≦1.2μm )
TTV ≦ 5μm
Bow -10 〜 0μm
Laser Mark Back Side
GaN Film
Type UnDope
GaN Film Thickness 3 〜 5μm ( ± 10% )
Crystallinity XRD FWHM (002) ≦ 300 arcsec、XRD FWHM (102) ≦ 400 arcsec

■AIN on Sapphire

Conductivity type Semi-insulating AIN
Substrate Sapphire
Dimensions Φ50.8 ± 0.1mm、Φ100 ± 0.1mm
Thickness 4〜5μm(4000〜5000nm)
Edge Exclusion Zone < 2mm
Usable area > 90%
Orientation C plane(0001) ± 1°
Total Thickness Variation < 15μm
Crystallinity XRD FWHM of(0002) < 350 arcsec、XRD FWHM of(10-12)< 450 arcsec
Surface Roughness Ra < 5nm(10μmx10μm)
Substrate Structure Sapphire(0001)
Substrate Flat (1-100)、16 ± 1mm
Polishing Single side polishied(SSP)、Double-side polishied(DSP) are available upon request


GaAs production

GaAs基板上にLED基礎となる発光層をエピタキシャル成長した、高付加価値基板です。ウェハ面内で高輝度かつ高均一な発光特性がと特徴です。可視LED(赤〜黄緑色)、赤外センサーLED、VCSEL用エピウェハーとして、またプリンターヘッド用の赤色LED用エピウェハーとして、幅広い分野で使用されています。

※サイズ:Φ2”、Φ4”、Φ6”

GaAs production Wavelength (nm)
570 590 605 620 630 660 690 730 760 780 810 830 850 890 940 970 1020
AS (AuBe)
AS (ITO)
Wafer bond (PNシリーズ)
Glue bond (AXシリーズ)
VCSEL
Led Printer Head
Point source LED
Photodetector

InP production

※サイズ:Φ2”、Φ4”、Φ6”

InP production Wavelength (nm)
1070 1200 1310 1450 1550 1650
LED
FP LD
InGaAs PIN
InGaAs APD