ガリウムヒ素/GaAs

GaAs(ガリヒ素)は一般的な半導体材料であるシリコンよりも電子移動度が高く、アンドープ基板の抵抗率が非常に高い(シート抵抗値が数 MΩ)ことから、半絶縁性基板と呼ばれる。 高い抵抗率によって基板へのリーク電流や寄生容量を抑えることができ、現在のSOI技術によるFETと同様の性質を持つ。 このような性質から、応答が速く消費電力の少ない半導体素子の製造に向いた材料となっている。
このような利点を生かして、ヘテロ構造を使用した、HEMTやHBT等の高速通信用の半導体素子の材料として多用されている。 また、直接遷移形の材料であるため赤色・赤外光の発光ダイオードに広く用いられており、半導体レーザーにも使用されている。


GaAsウェハー/GaAs wafer

GaAs

■GaAs Semiconduct Wafers

Item Unit Specifications Note
Conduct Type (n-type) (p-type)
Crystal growth method VGF
Dopant SiZn
Diameter inch 2" / 3" / 4"/ 6"
Wafer Orientation (100) ± 0.5° Other orientations available
OF/IF US,EJ or notch
Carrier Concentration cm-3 (0.4-4)x1018(0.5-5)x1019
Mobility cm2/v.s ≧100050-120
Etch Pit Density(EPD) /cm2 ≤ 50003000-5000
Laser marking Upon request
Thickness µm (350-675) ± 25 µm Customer requirement
TTV(P/P) µm ≤ 4
TTV(P/E) µm ≤ 10
Warp µm ≤ 10
Surface Side 1 Polished/Etched
Side 2 Polished/Etched
Epi-Ready Yes
Package Cassette or single
wafer container


■GaAs Semi-insulating Wafers

Item Unit Specifications Note
Conduct Type Insulating
Crystal growth method VGF
Dopant Undoped
Diameter inch 2" / 3" / 4"/ 6"
Wafer Orientation (100) ± 0.5° Other orientations available
OF/IF US,EJ or notch
Resistivity(at RT) ohm.cm ≧107≧108
Mobility cm2/v.s ≧5000≧4000
Etch Pit Density(EPD) /cm2 1500-50001500-5000
Laser marking Upon request
Thickness µm (350-675) ± 25 µm Customer requirement
TTV(P/P) µm ≤ 4
TTV(P/E) µm ≤ 10
Warp µm ≤ 10
Surface Side 1 Polished
Side 2 Polished/Etched
Epi-Ready Yes
Package Cassette or single
wafer container

GaAs Poly

GaAs

■GaAs Poly一般仕様

純度 ≧6N
導電タイプ N型
Mobility(cm2/V・s) 4500〜5500
Carrier濃度(/cm3 1x1015〜2x1016
外観形状 D
サイズ例(mm) Type A:About 76(W)x50(H)x330(L)
Type A:About 60(W)x45(H)x330(L)

※少量対応可能です。

GaAs関連製品

GaAsエピウェハー(各種エピ構造指定可能)、GaAsインゴット、PBN(熱分解ホウ素)ルツボ、他

GaAs