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ガリウムナイトライド/GaN

GaN基板は現在、Blu-ray Disc向け青紫色半導体レーザの商業生産、高電流密度ハイパワーLED及び純緑色半導体レーザといったオプトデバイスや高周波デバイス、パワーデバイスなどの電子デバイス開発に広く使われている。最近ではレーザプロジェクタの実現を目指し、非極性や半極性のGaN基板を用いた青色/緑色レーザの開発も活発化している。
同人産業では、GaNテンプレート及びHVPE法のGaN自立基板(バルク)も販売しております。又、研削・研磨などの受託加工も承っております。

GaN
12 Vertical HVPE System
Structure image:
Φ2
Growth Parameters:
● Temperature:1000 -1100℃
● Carrier gas: N2 and H2
HVPE Growth rate: 2~150um/h
MOCVD Growth rate: 2~5um/h

GaN GaN結晶方位
GaNGaN結晶方位

GaN Template(GaN on Sapphire など)

※こちらはGaNテンプレート基板の基本仕様となりますので、ご注意ください。

■Specifications

直径 Φ2"、Φ3"、Φ4"、Φ6"
GaN膜厚 3μm、3.5μm、4μm、4.5μm、6μm、〜100μm特別指定可能
結晶方位 C-axis(0001)
導電タイプ Un Dope、N-type、P-type
転移密度 ≦ 5x106/ cm2
XRD (002)≦ 300arsec、(102)≦400arsec
結晶構造 GaN on Sapphire  /   GaN on Silicon  /   GaN on SiC
Sub基板 サファイア基板 / シリコン基板 / SiC基板 / GaAs基板
梱包 クリーンルーム(クラス100)、25枚入りカセットケース、シングルケース

Free-Standing GaN Substrates(GaNバルク、GaN自立基板)

■Specifications

Item SF-ncA-Ф50 SF-ncA-Ф100
Dimensions Ф2"Ф4"
Useable Surface Area LD Level: > 90%  /   LED Level: > 78%
Thickness 330 ± 30 μm  /   400 ± 30 μm  /   430 ± 30 μm、
Orientation C-axis(0001)±0.5°
Orientation Flat (1-100) ± 0.5°, 16 ± 2mm(1-100) ± 0.5°, 32 ± 2mm
Secondary Orientation Flat (11-20) ± 3°, 8 ± 2mm(11-20) ± 3°, 16 ± 2mm
TTV(Total Thickness Variation) ≦15 μm≦30 μm
BOW ≦20 μm≦80 μm
Conduction Type Un-doped(N-type)  /   N-type
Resistivity(300K) ≦ 0.5 Ω・cm  /   ≦ 0.05 Ω・cm
Dislocation Density ≦ 1x106 cm-2 ≦ 1x107 cm-2
Polishing Front Surface: Ra < 0.3nm. Epi-ready polished
Back Surface: polished
Package Packaged in a class 100 clean room environment, in single wafer containers, under a nitrogen atmosphere

■2"Free-Standing GaN Substrates

シリコン特殊加工 シリコン特殊加工
Dislocation Density:2.3×106cm-2
シリコン特殊加工
Dislocation Density:6.3×105cm-2

シリコン特殊加工

シリコン特殊加工

シリコン特殊加工
The FWHM of XRD (002) and 102)RMS<0.2nm(10x10um)


GaN Φ2
Φ2"GaN自立基板(エピーレディー研磨品)Φ2"GaN自立基板(アズグロン)

GaN自立基板(バルク)カスタムサイズ

■Specifications

Item SF−ncA−L18 SF−ncB−L18
Dimensions (10±0.5)mm×(15±0.5)mm
Customized
Useable Surface Area > 90%
Thickness 330 ± 30 μm430 ± 30 μm
Orientation C-axis(0001)±1°
TTV(Total Thickness Variation) ≦10 μm
BOW ≦10 μm
Conduction Type Un-doped(N-type)  /   N-type
Resistivity(300K) ≦ 0.5 Ω・cm  /   ≦ 0.05 Ω・cm
Dislocation Density ≦ 5x106 cm-2
Polishing Front Surface: Ra < 0.3nm. Epi-ready polished
Back Surface: polished
Package Packaged in a class 100 clean room environment, in single wafer containers, under a nitrogen atmosphere


GaN



GaN基板
GaN基板10x15o