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単結晶炭化ケイ素/SiC

 炭化ケイ素(SiC)若しくは、シリコンカーバイドは、炭素(C)とケイ素(Si)が1対1で共有結合した結晶材料です。SiC半導体の最大特徴は、バンドギャップが3.25eVと従来のSi半導体に比べて3倍と広いことです。このため、絶縁破壊にいたる電界強度が3MV/cmと10倍程度大きくなります。又、熱伝導性がSiの3倍以上であり、300°C以上の高温においても電気的特性が安定しているばかりか、デバイス化した場合にはデバイス内部での電力損失をSi半導体の1/10近くまで抑えられます。更に、耐薬品性に優れ、放射線に対する耐性もSi半導体より高いという特徴を持っています。こうした特徴により、SiCは従来のSi半導体より小型、低消費電力、高効率のパワー素子、高周波素子、耐放射線性に優れた半導体材料として期待されています。
 パワーデバイスのウェハーについては、これまでほぼピュアシリコンが使われてきました。そうして、耐圧600Vを境にSiCが台頭してくるとの傾向が強くなりました。とりわけ電鉄や発電用パワーコンディショナー、自動車などにそのアプリが拡大するとの見方が出てきております。
 同人産業では、主に中国メーカーのSiC製品を代理販売しております。又、SiCのスライス、研削・研磨など各種精密加工も提供しております。

■6H/4H SiC製法
昇華法(PVT、物理的気相輸送法)

■4H単結晶SiC物性データー

モース硬度 9.2
密度 3.21g / cm3
熱膨張係数 (4-5)x10-6 / K
屈折率@750nm no=2.61, ne=2.66
誘電率 c〜9.66
熱伝導率
(N型、0.02Ω以下)
a~4.2 W/cm・K@298K
c~3.7 W/cm・K@298K
バンドギャップ 3.23 eV
破壊電界 (3-5)x106V / cm

■用途
各種半導体基板:LED基板、パワーデバイス、UVセンサ、等

SiC Wafer
SiC Wafer
SiC ingot
Φ4"SiC インゴット、Φ2"SiC インゴット
SiC ingot
Φ6"SiC インゴット

SiCウェハー/SiC Wafer

■基本内容
直径:Φ2″、Φ3″、Φ4″、Φ6″
厚さ:330µm、350µm、430µm、特別指定可能
ポリタイプ:4H、6H
MPD:≤1/cm2、≤5/cm2、≤10/cm2、≤30/cm2、≤100/cm2
導電性:N-Type、Semi-insulating
抵抗率:N-Type(0.015-0.03Ω)、Semi-insulating(>1x105Ω)
面方位:<0001>0 ° /4 ° /8 ° 0ff ± 0.5 °
受注数量:1枚〜
※生産能力:1万枚以上/月
納期:3週間〜


Φ4インチSiC Wafer
Φ4"SiC Wafer
Φ6インチSiC Wafer
Φ6"SiC Wafer
Φ6インチSiC 研磨Wafer
Φ6インチSiC 研磨ウェハー

■各サイズ標準仕様

項目 2 インチ 3 インチ 4 インチ 6 インチ
ポリタイプ 6H/4H 4H 4H 4H
導電タイプ N-Type、Semi-insulating
直径 50.8 ± 0.38mm 76.2 ± 0.38mm 100 ± 0.3mm 150 ± 0.3mm
厚さ 330 ± 25 µ m、350 ± 25 µ m、500 ± 25 µ m
MPDグレード ≤ 1/cm2、 ≤ 5/cm2、 ≤ 10/cm2、 ≤ 30/cm2、 ≤ 50/cm2、 ≤ 100/cm2
FWHM <30arcsec、 50arcsec、
有効面積 ≧ 90%、 ≧ 80%、 ≧ 70%
面方位 <0001>0 °off±0.5°、<0001>4 ° off ± 0.5 °
主オリフラ <11-20> ± 5 °
主オリフラ長さ 16 ± 2mm 22 ± 2mm 32.5 ± 2mm 47.5 ± 2.5mm
副オリフラ 主オリフラより時計回り90 °± 5 °( Si 面を上にする)
副オリフラ長さ 8 ± 2mm 11 ± 2mm 18 ± 2mm
表面仕上 CMP 研磨、 Ra ≤ 0.3nm
裏面仕上 鏡面研磨、 Ra ≤ 1nm
TTV ≤10 µ m ≤10 µ m ≤15 µ m ≤15 µ m
Warp ≤15 µ m ≤20 µ m ≤25 µ m ≤40 µ m

※厚み等の仕様内容は特別に指定することも可能でございます。

■使用例

1)
基板用:LED基板、パワーデバイス基板、センサー用基板、他

2)
機械装置及び加工技術開発用:研削・研磨装置、レーザー加工装置、等
                

※アズスライス・ウェハー、SiCインゴット等もご提供可能です。