各種エピウェハー／ MOCVD Epi
エピ/EpiとはEpitaxy（エピタキシー）、またはEpitaxial（エピタキシャル）の略として、基板上に薄膜を製造する行程（エピタキシャル成長）、または基板上に成長した薄膜そのものを指すことがある。エピを形成させたウェハーは半導体素子を製造するうえで重要な素材であり、基板上に金属酸化物薄膜を成長させたMOエピや単結晶シリコン薄膜のSOIエピ（Silicon on Insulator）などが製造されている。 弊社では主にMOCVD法によるエピウェハーを主に取り扱っている。
種類
- Sapphire production：サファイア基板（PSS基板含む）上にGaN層など薄膜を成長させたエピウェハー
- GaAs production：GaAs基板上に各種薄膜を成長させたエピウェハー
- InP production：InP基板上に各種薄膜を成長させたエピウェハー
※基板上（Substrate）に成長させる薄膜の仕様はユーザー様より指定していただきます。
Sapphire production
※サイズ：Φ2"、Φ4"、Φ6"、特殊サイズ対応可能
GaN on Sapphire
GaN on SiC
GaN on Silicon
AIN on Sapphire
GaN on Sapphire
| Sapphire Substrate | ||
|---|---|---|
| 2インチ | 4インチ | |
| Dimensions | Φ50.8 ± 0.1mm | Φ100 ± 0.1mm |
| Thickness | 430 ± 20μm | 650 ± 20μm |
| Orientation | C-plane、0.2° Off ± 0.1°（to m-plane）、0° Off to A-plane | |
| Orientation Flat | A-plane ± 0.2° | |
| Orientation Flat Lenth | 16 ± 1mm | 30 ± 1mm |
| Fornt Side | CMP、Ra≦0.2nm | |
| Back Side | Lapping（Ra≦1.2μm） | |
| TTV | ≦ 5μm | |
| Bow | -10 ～ 0μm | |
| Laser Mark | Back Side | |
| GaN Film | ||
| Type | UnDope | |
| GaN Film Thickness | 3 ～ 5μm（± 10%） | |
| Crystallinity | XRD FWHM（002）≦ 300 arcsec、XRD FWHM（102）≦ 400 arcsec | |
AIN on Sapphire
| Conductivity type | Semi-insulating AIN | ||
|---|---|---|---|
| Substrate | Sapphire | ||
| Dimensions | Φ50.8 ± 0.1mm、Φ100 ± 0.1mm | ||
| Thickness | 4～5μm（4000～5000nm） | ||
| Edge Exclusion Zone | ＜ 2mm | ||
| Usable area | ＞ 90% | ||
| Orientation | C plane（0001）± 1° | ||
| Total Thickness Variation | ＜ 15μm | ||
| Crystallinity | XRD FWHM of（0002） ＜ 350 arcsec、XRD FWHM of（10-12）＜ 450 arcsec | ||
| Surface Roughness Ra | ＜ 5nm(10μmx10μm) | ||
| Substrate Structure | Sapphire（0001） | ||
| Substrate Flat | （1-100）、16 ± 1mm | ||
| Polishing | Single side polishied（SSP）、Double-side polishied（DSP） are available upon request | ||
GaAs production
GaAs基板上にLED基礎となる発光層をエピタキシャル成長した、高付加価値基板です。ウェハ面内で高輝度かつ高均一な発光特性がと特徴です。可視LED（赤～黄緑色）、赤外センサーLED、VCSEL用エピウェハーとして、またプリンターヘッド用の赤色LED用エピウェハーとして、幅広い分野で使用されています。
※サイズ：Φ2"、Φ4"、Φ6"
| GaAs production | Wavelength（nm） | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 570 | 590 | 605 | 620 | 630 | 660 | 690 | 730 | 760 | 780 | 810 | 830 | 850 | 890 | 940 | 970 | 1020 | |
| AS（AuBe） | 〇 | – | 〇 | – | |||||||||||||
| AS（ITO） | 〇 | – | 〇 | – | |||||||||||||
| Wafer bond （PNシリーズ） |
– | 〇 | |||||||||||||||
| Glue bond （AXシリーズ） |
– | 〇 | – | 〇 | – | ||||||||||||
| VCSEL | 〇 | 〇 | – | 〇 | – | ||||||||||||
| Led Printer Head | – | 〇 | – | 〇 | – | ||||||||||||
| Point source LED | – | 〇 | – | 〇 | – | ||||||||||||
| Photodetector | – | 〇 | – | ||||||||||||||
InP production
※サイズ：Φ2"、Φ4"、Φ6"
| InP production | Wavelength（nm） | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1070 | 1200 | 1310 | 1450 | 1550 | 1650 | |
| LED | 〇 | |||||
| FP LD | – | 〇 | – | |||
| InGaAs PIN | – | 〇 | – | |||
| InGaAs APD | – | 〇 | – | |||
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