ガリウムナイトライド／GaN
GaN基板は現在、Blu-ray Disc向け青紫色半導体レーザの商業生産、高電流密度ハイパワーLED及び純緑色半導体レーザといったオプトデバイスや高周波デバイス、パワーデバイスなどの電子デバイス開発に広く使われています。最近ではレーザプロジェクタの実現を目指し、非極性や半極性のGaN基板を用いた青色/緑色レーザの開発も活発化している。
同人産業では、GaNテンプレート及びHVPE法のGaN自立基板（バルク）も販売しております。又、研削・研磨などの受託加工も承っております。
12 Vertical HVPE System |
Structure image: |
| Growth Parameters: ● Temperature:1000 -1100℃ ● Carrier gas: N2 and H2 HVPE Growth rate: 2~150um／h MOCVD Growth rate: 2~5um／h |
GaN
GaN結晶方位
GaN結晶方位
GaN Template（GaN on Sapphire など）
※こちらはGaNテンプレート基板の基本仕様となりますので、ご注意ください。
Specifications
| 直径 | Φ2"、Φ3"、Φ4"、Φ6" | ||
|---|---|---|---|
| GaN膜厚 | 3μm、3.5μm、4μm、4.5μm、6μm、～100μm特別指定可能 | ||
| 結晶方位 | C-axis（0001） | ||
| 導電タイプ | Un Dope、N-type、P-type | ||
| 転移密度 | ≦ 5x106／cm2 | ||
| XRD | （002）≦ 300arcsec、（102）≦400arcsec | ||
| 結晶構造 | GaN on Sapphire ／ GaN on Silicon ／ GaN on SiC | ||
| Sub基板 | サファイア基板 ／ シリコン基板 ／ SiC基板 ／ GaAs基板 | ||
| 梱包 | クリーンルーム（クラス100）、25枚入りカセットケース、シングルケース | ||
Free-Standing GaN Substrate（GaNバルク、GaN自立基板）
| Item | SF-ncA-Ф50 | SF-ncA-Ф100 |
|---|---|---|
| Dimensions | Ф2" | Ф4" |
| Useable Surface Area | > 90% | |
| Thickness | 400 ± 30 μm ／ 450 ± 30 μm、 | |
| Orientation | C-axis（0001）±0.5° | |
| Orientation Flat | （1-100） ± 0.5°, 16 ± 2mm | （1-100） ± 0.5°, 32 ± 2mm |
| Secondary Orientation Flat | （11-20） ± 3°, 8 ± 2mm | （11-20） ± 3°, 16 ± 2mm |
| TTV（Total Thickness Variation） | ≦15 μm | ≦20 μm |
| BOW | ≦20 μm | ≦60 μm |
| Type | Un-dope（N-type）／ Si-dope (N-type）／ C-dope (Semi-Insulating) | |
| Resistivity（300K） | ≦ 0.5 Ω・cm ／ ≦ 0.05 Ω・cm ／ ≧ 1E8 Ω・cm | |
| Dislocation Density | ≦ 1x106 cm-2 | ≦ 1x107 cm-2 |
| Polishing | Front Surface: Ra < 0.3nm. Epi-ready polished Back Surface: polished |
|
| Package | Packaged in a class 100 clean room environment, in single wafer containers, under a nitrogen atmosphere | |
2"Free-Standing GaN Substrate
GaN基板
Dislocation Density:2.3×106cm-2
Dislocation Density:6.3×105cm-2
The FWHM of XRD 002
The FWHM of XRD 102
RMS<0.2nm（10x10um）
GaN自立基板（バルク）カスタムサイズ
Specifications
| Item | SF－ncA－L18 | SF－ncB－L18 |
|---|---|---|
| Dimensions | （10±0.5）mm×（15±0.5）mm Customized |
|
| Useable Surface Area | > 90% | |
| Thickness | 400 ± 30 μm | 450 ± 30 μm |
| Orientation | C-axis（0001）±1° | |
| TTV（Total Thickness Variation） | ≦10 μm | |
| BOW | ≦10 μm | |
| Type | Un-dope（N-type）／ Si-dope (N-type）／ C-dope (Semi-Insulating) | |
| Resistivity（300K） | ≦ 0.5 Ω・cm ／ ≦ 0.05 Ω・cm ／ ≧ 1E8 Ω・cm | |
| Dislocation Density | ≦ 5x106 cm-2 | |
| Polishing | Front Surface: Ra < 0.3nm. Epi-ready polished Back Surface: polished |
|
| Package | Packaged in a class 100 clean room environment, in single wafer containers, under a nitrogen atmosphere | |
Φ2"GaN自立基板
（エピーレディー研磨品）
Φ2"GaN自立基板（アズグロン）
GaN基板10ｘ15㎜
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