ガリウムナイトライド／GaN
GaN基板は現在、Blu-ray Disc向け青紫色半導体レーザの商業生産、高電流密度ハイパワーLED及び純緑色半導体レーザといった「光デバイス」や「高周波デバイス」、「パワーデバイス」などの電子デバイス開発に広く使われています。最近ではレーザプロジェクタの実現を目指し、非極性や半極性のGaN基板を用いた青色/緑色レーザの開発も活発化している。
同人産業では、GaNテンプレート及びHVPE法のGaN自立基板（バルク）も販売しております。又、研削・研磨などの受託加工も承っております。
12 Vertical HVPE System |
Structure image: |
| Growth Parameters: ● Temperature:1000 -1100℃ ● Carrier gas: N2 and H2 HVPE Growth rate: 2~150um／h MOCVD Growth rate: 2~5um／h |
GaN
GaN結晶方位
GaN結晶方位
GaN Template（GaN on Sapphire など）
※こちらはGaNテンプレート基板の基本仕様となりますので、ご注意ください。
Specifications
| 直径 | Φ2"、Φ3"、Φ4"、Φ6" | ||
|---|---|---|---|
| GaN膜厚 | 3μm、3.5μm、4μm、4.5μm、6μm、～100μm特別指定可能 | ||
| 結晶方位 | C-axis（0001） | ||
| 導電タイプ | Un Dope、N-type、P-type | ||
| 転移密度 | ≦ 5×106／cm2 | ||
| XRD | （002）≦ 300arcsec、（102）≦400arcsec | ||
| 結晶構造 | GaN on Sapphire ／ GaN on Silicon ／ GaN on SiC | ||
| Sub基板 | サファイア基板 ／ シリコン基板 ／ SiC基板 ／ GaAs基板 | ||
| 梱包 | クリーンルーム（クラス100）、25枚入りカセットケース、シングルケース | ||
Free-Standing GaN Substrate（GaNバルク、GaN自立基板）
| Item | SF-ncA-Ф50 | SF-ncA-Ф100 |
|---|---|---|
| Dimensions | Ф2" | Ф4" |
| Useable Surface Area | > 90% | |
| Thickness | 400 ± 30 μm ／ 450 ± 30 μm、 | |
| Orientation | C-axis（0001）±0.5° | |
| Orientation Flat | （1-100） ± 0.5°, 16 ± 2mm | （1-100） ± 0.5°, 32 ± 2mm |
| Secondary Orientation Flat | （11-20） ± 3°, 8 ± 2mm | （11-20） ± 3°, 16 ± 2mm |
| TTV（Total Thickness Variation） | ≦15 μm | ≦20 μm |
| BOW | ≦20 μm | ≦60 μm |
| Type | Un-dope（N-type）／ Si-dope (N-type）／ C-dope (Semi-Insulating) | |
| Resistivity（300K） | ≦ 0.5 Ω・cm ／ ≦ 0.05 Ω・cm ／ ≧ 1E8 Ω・cm | |
| Dislocation Density | ≦ 1×106 cm-2 | ≦ 1×107 cm-2 |
| Polishing | Front Surface: Ra < 0.3nm. Epi-ready polished Back Surface: polished |
|
| Package | Packaged in a class 100 clean room environment, in single wafer containers, under a nitrogen atmosphere | |
2″Free-Standing GaN Substrate
GaN基板
Dislocation Density:2.3×106cm-2
Dislocation Density:6.3×105cm-2
The FWHM of XRD 002
The FWHM of XRD 102
RMS<0.2nm（10x10um）
GaN自立基板（バルク）カスタムサイズ
Specifications
| Item | SF－ncA－L18 | SF－ncB－L18 |
|---|---|---|
| Dimensions | （10±0.5）mm×（15±0.5）mm Customized |
|
| Useable Surface Area | > 90% | |
| Thickness | 400 ± 30 μm | 450 ± 30 μm |
| Orientation | C-axis（0001）±1° | |
| TTV（Total Thickness Variation） | ≦10 μm | |
| BOW | ≦10 μm | |
| Type | Un-dope（N-type）／ Si-dope (N-type）／ C-dope (Semi-Insulating) | |
| Resistivity（300K） | ≦ 0.5 Ω・cm ／ ≦ 0.05 Ω・cm ／ ≧ 1E8 Ω・cm | |
| Dislocation Density | ≦ 5×106 cm-2 | |
| Polishing | Front Surface: Ra < 0.3nm. Epi-ready polished Back Surface: polished |
|
| Package | Packaged in a class 100 clean room environment, in single wafer containers, under a nitrogen atmosphere | |
Φ2"GaN自立基板
（エピーレディー研磨品）
Φ2"GaN自立基板（アズグロン）
GaN基板10ｘ15㎜
GaN結晶、ウェハの研究開発
高品質なGaN単結晶からなるGaNウェハの研究開発に取リ組んでいます、金属ナトリウム融液 （Naフラックス法）や超臨界アンモニア流体 （アモノサーマル法）の中で高品質なGaN結晶を成長させたり、 OVPE法という気相成長法で超低抵抗のGaN結晶を成長させ、スライス・研磨してGaNウエハを実現します。高品質かつ超低抵抗のウエハを用いることにより、GaNパワーデバイスの性能を引き上げることができます。また、GaNパワーデバイスの社会実装に向けて、大口径化の開発も進めています。
縦型GaNバワーデバイスの研究開発
GaNウエハ上のGaNバワーデバイスの開発に取り組んでいます。現在市販されている異なる材料からなるウエハを用いる場合よりも、大電流、高耐圧、高信頼性が期待されます。OVPE法で形成した超低抵抗なGaNウエハ、GaN材料の特徴を最大限引き出したp-GaNゲート構造を用いることにより、低損失なデバイス実現を目指しております。また、従来のSiバワーデバイスと互換性の高いMOSゲート構造の開発も進めており、幅広い電力変換機器の高効率化に貢献していきます。
GaNインバータの研究開発
縦型GaNパワーデバイスを用いた走行モーター駆動用インパータの開発に取り組んでいます。従来のSiパワーデバイスを用いたインバータに比べ60％以上の損失低減が可能となり、CO2の削減に貢献します。また、GaNインバータを用いたモーター制御やモーター構造の研究にも取り組んでおり、電気自動車などの電費向上、航続距離の長距離化などに大きな期待がされています。
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