ニオブ酸リチウム|PRODUCT|株式会社同人産業|シリコン・サファイア・SiC・GaNなど半導体材料を加工も含めてご提供します。

PRODUCT

ニオブ酸リチウム/LN

ニオブ酸リチウム(LN或はLiNbO3)結晶は、その圧電性、焦電性、非線形光学効果などを利用して、圧電素子、表面弾性波素子、レーザー素子などの基板材料として使われています。 同人産業で取り扱っているLN結晶は、原料の厳しい品質管理や配合比率管理、長年に渡って形成した安定的な結晶成長技術の元で製造されております。

種類

  1. SAWグレード
  2. 光学グレード
  3. MgOドープLN(MgO:LN)
    ※MgO:LNの特徴はレーザー光損傷を改善することにある。
  4. Black-LN

用途

  1. ソーデバイス
  2. 各種光学用
  3. レーザーデバイス
  4. その他
  • 特殊結晶材料/LN
  • 4inch black LN wafer

LNウエハの基本仕様

結晶種類 光学級LN SAW Grade LN / Black LN 光学級MgO:LN
結晶方位 X-cut ±0.2°、Z-cut ±0.2°、他 36°Y-cut ±0.2°、42°Y-cut ±0.2°
64°Y-cut ±0.2°、128°Y-cut ±0.2°
135°Y-cut ±0.2°、他
Z-cut ±0.2°、他
直径 Φ76.2±0.3mm、Φ100±0.3mm、Φ150±0.3mm Φ76.2±0.3mm、他
オリフラ 22±2mm(Φ3")、32±2mm(Φ4")、47.5±2mm(Φ6")
2nd オリフラ 10±3mm
厚み 250±20μm、350±20μm、500±20μm、指定可能
表面仕上 光学研磨(S/D=20/10) CMP研磨(Ra≦1nm) 光学研磨(S/D=20/10)
裏面仕上 光学研磨(S/D=20/10) GCラッピング 光学研磨(S/D=20/10)
TTV ≤8µm ≤6 µm
BOW ≤30µm
キュリー温度 1142±1.5°
屈折率 no=2.2878±0.0002
ne=2.2033±0.0002
@λ632.8nm
no=2.2827±0.0003
ne=2.1928±0.0003
@λ632.8nm

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