サファイア|PRODUCT|株式会社同人産業|シリコン・サファイア・SiC・GaNなど半導体材料を加工も含めてご提供します。

PRODUCT

サファイア/Sapphire

サファイア(Al2O3)は、化学的安定性・熱伝導性・機械的強度に優れ、紫外~赤外光領域で高い透明性を示す材料として広く用いられています。 同人産業では、主にKyropoulos製法を採用し、単結晶サファイアの成長からスライス、研削・研磨、加工まで一貫して行っています。

サファイアの特徴

  1. 硬度:優れた強度と耐摩耗性、モース硬度9
  2. 透明度:紫外~赤外光領域で高い透過率も持つ(200~7000nm)
  3. 耐腐食性:殆どの酸・アルカリに侵されない
  4. 耐熱性:~2000°C
  5. 絶縁性:絶縁体、抵抗率10E14Ω・cm(25°C)

キロプロス製法の特徴

キロプロス(Kyropoulos)製法、キュロプロス、カイロプロスとも言われています。 サファイア製法には他にも、ベルヌーイ法、CZ法、EFG法、HEM法、CHES法など様々有りますが、弊社ではキロプロス法の高い結晶質と生産性を注目し、こちらを主に採用しています。

  1. 大型サファイア基板が効率よく得られる
  2. 結晶品質が高く、安定的である
  3. 生産効率が高い
  • サファイア/SAPPHIRE
  • サファイア/SAPPHIRE
  • サファイア透過率

用途

  1. 基板材料:LEDエピー基板、PSS基板、SOS基板、光デバイス用基板、接合ウェハー等
  2. 各種窓材:光学窓、高温高圧炉覗き窓、半導体製造装置の覗き窓、真空容器窓、クセノンランプ窓、内視鏡窓、時計窓、スマートウォッチカバーガラス、カメラ保護窓など
  3. 機械装置開発用:ワイヤソー、ソーワイヤ、ダイヤモンドツール、研削研磨機械、ダイサー、レーザー設備、ロボット等
  4. その他:分析用サファイアセル、療用ウルトラマイクロトーム、液晶プロジェクター用放熱板、モードセレクター、ルビープランジャー、磁気テープクリーナー、絶縁板、熱電保護板、光学用プリズム、レンズ、紡績用ガイド(糸道)、各種軸受、アルミナ蒸着材、アルミナ研磨材など
  • レッドサファイア
  • グリーンサファイア
  • ブルーサファイア
  • イェローサファイア
  • ルビー

サファイアインゴット/Sapphire Ingot

サファイアインゴット/Sapphire Ingot

同人産業のサファイアインゴットは、中国の自社工場で生産している他、キロプロス製法を中心に世界中の優良メーカーから仕入れています。

特徴

  • 製法:キロプロス
  • 原料:アルミナ99.996%
  • 直径:Φ1", Φ1.5", Φ2", Φ3", Φ4", Φ6", Φ8", Φ10",特別指定可能
  • 欠陥ゾーン:15%以下、特別指定可能
  • 結晶方位:C面(0001)、A面(11-20)、R面(-1012)、M面(10-10)
  • 方位公差:±0.1°
  • オリフラ:指定可能
  • 受注数量:1本~
  • 納期:最短3日~
  • サファイア結晶方位
  • サファイア結晶方位
  • サファイア結晶方位

各サイズ標準仕様

項目 2 インチ 3 インチ 4 インチ 5 インチ 6 インチ 8 インチ
直径 50.9 ± 0.1mm 76.3 ± 0.1mm 100.1 ± 0.1mm 125.2 ± 0.1mm 150.2 ± 0.1mm 200.2 ± 0.1mm
方位 C ± 0.1 °
オリフラ A ± 0.2 °
オリフラ長さ 15.5 ± 1mm 21 ± 1mm 30 ± 1mm 30 ± 1mm 47 ± 1mm
端面角度 90 ± 0.1 °

※上記以外の特殊直径もご指定可能です。
※長さは、基本的に±20%の許容範囲を希望しますが、場合によって特別指定も可能です。

  • サファイアインゴット
  • サファイアインゴット
  • サファイアインゴット

サファイアウェハー/Sapphire Wafer

同人産業のサファイアウェハーは、日本国内工場で生産している他、中国、韓国、台湾の優良メーカーにて委託生産しております。

特徴

  • 直径:Φ1"、Φ1.5"、Φ2"、Φ2.5"、Φ3"、Φ4"、Φ4.5"、Φ5"、Φ6"、Φ8" 特別指定可能
  • 厚さ:150μm~3mm、特別指定可能
  • 結晶方位:C面(0001)、A面(11-20)、R面(-1012)、M面(10-10)
  • 方位公差:±0.1°、オフ角指定可能
  • 受注数量:1枚~
  • 納期:3週間~、在庫品は即納可能
  • サファイアウェハー/Sapphire Wafer
  • サファイアウェハー/Sapphire Wafer

各サイズ標準仕様

項目 2 インチ 3 インチ 4 インチ 6 インチ 8 インチ
直径 50.8 ± 0.1mm 76.2 ± 0.1mm 100.0 ± 0.1mm 150 ± 0.1mm 200 ± 0.25mm
厚さ 430 ± 25 μm 550 ± 25 μm 650 ± 25 μm 1300/1000 ± 25 μm 1800/1500 ± 50 μm
方位 C 面 off0.2 ± 0.1 ° C 面 ± 0.5 °
オリフラ A面 ± 0.2 ° A面 ± 0.5 °
オリフラ長さ 16 ± 1mm 22 ± 2mm 30 ± 1mm 47.5 ± 1mm ノッチ
(オリフラも可)
表面仕上 研磨、 Ra ≤ 0.2nm 研磨、 Ra ≤ 0.3nm
裏面仕上 ラッピング、 Ra ≤ 1.2μm 研磨、 Ra ≤ 0.3nm
TTV ≤ 7 μ m ≤ 10 μ m ≤ 10 μ m ≤ 15 μ m ≤ 25 μ m
BOW ≤ 10 μ m ≤ 15 μ m ≤ 15 μ m ≤ 20 μ m ≤ 45 μ m
  • 8inchサファイア研磨ウェハー(Vノッチ)

    8inchサファイア研磨ウェハー
    (Vノッチ)

  • 面精度の測定操作

    面精度の測定操作

PSS/PATTERNED SAPPHIRE SUBSTRATE

対応可能サイズ、対応可能数量

Φ2"、Φ4"、Φ6"
25枚~/Lot
10万枚/月(供給能力)

パターン例

例(2x1):
Bottom Width:2.8±0.15μm
Height:1.8±0.15μm
Pitch:3.0±0.1μm

サファイア特殊加工

加工種類

切断・スライス、研削・研磨、穴あけ・溝加工、面取り、膜付け加工、接着加工

  • Φ270㎜サファイア窓

    Φ270㎜サファイア窓

  • サファイア加工品

    サファイア加工品

  • サファイア特殊加工

    サファイア特殊加工

  • サファイア特殊加工

    サファイア特殊加工

  • サファイア細棒

    サファイア細棒

  • 6面鏡面研磨品

    6面鏡面研磨品

  • サファイア微細加工品

    サファイア微細加工品

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