サファイア/Sapphire
サファイア(Al2O3)は、化学的安定性・熱伝導性・機械的強度に優れ、紫外~赤外光領域で高い透明性を示す材料として広く用いられています。 同人産業では、主にKyropoulos製法を採用し、単結晶サファイアの成長からスライス、研削・研磨、加工まで一貫して行っています。
サファイアの特徴
- 硬度:優れた強度と耐摩耗性、モース硬度9
- 透明度:紫外~赤外光領域で高い透過率も持つ(200~7000nm)
- 耐腐食性:殆どの酸・アルカリに侵されない
- 耐熱性:~2000°C
- 絶縁性:絶縁体、抵抗率10E14Ω・cm(25°C)
キロプロス製法の特徴
キロプロス(Kyropoulos)製法、キュロプロス、カイロプロスとも言われています。 サファイア製法には他にも、ベルヌーイ法、CZ法、EFG法、HEM法、CHES法など様々有りますが、弊社ではキロプロス法の高い結晶質と生産性を注目し、こちらを主に採用しています。
- 大型サファイア基板が効率よく得られる
- 結晶品質が高く、安定的である
- 生産効率が高い
用途
- 基板材料:LEDエピー基板、PSS基板、SOS基板、光デバイス用基板、接合ウェハー等
- 各種窓材:光学窓、高温高圧炉覗き窓、半導体製造装置の覗き窓、真空容器窓、クセノンランプ窓、内視鏡窓、時計窓、スマートウォッチカバーガラス、カメラ保護窓など
- 機械装置開発用:ワイヤソー、ソーワイヤ、ダイヤモンドツール、研削研磨機械、ダイサー、レーザー設備、ロボット等
- その他:分析用サファイアセル、療用ウルトラマイクロトーム、液晶プロジェクター用放熱板、モードセレクター、ルビープランジャー、磁気テープクリーナー、絶縁板、熱電保護板、光学用プリズム、レンズ、紡績用ガイド(糸道)、各種軸受、アルミナ蒸着材、アルミナ研磨材など
サファイアインゴット/Sapphire Ingot
同人産業のサファイアインゴットは、中国の自社工場で生産している他、キロプロス製法を中心に世界中の優良メーカーから仕入れています。
特徴
- 製法:キロプロス
- 原料:アルミナ99.996%
- 直径:Φ1", Φ1.5", Φ2", Φ3", Φ4", Φ6", Φ8", Φ10",特別指定可能
- 欠陥ゾーン:15%以下、特別指定可能
- 結晶方位:C面(0001)、A面(11-20)、R面(-1012)、M面(10-10)
- 方位公差:±0.1°
- オリフラ:指定可能
- 受注数量:1本~
- 納期:最短3日~
各サイズ標準仕様
項目 | 2 インチ | 3 インチ | 4 インチ | 5 インチ | 6 インチ | 8 インチ |
---|---|---|---|---|---|---|
直径 | 50.9 ± 0.1mm | 76.3 ± 0.1mm | 100.1 ± 0.1mm | 125.2 ± 0.1mm | 150.2 ± 0.1mm | 200.2 ± 0.1mm |
方位 | C ± 0.1 ° | |||||
オリフラ | A ± 0.2 ° | - | ||||
オリフラ長さ | 15.5 ± 1mm | 21 ± 1mm | 30 ± 1mm | 30 ± 1mm | 47 ± 1mm | - |
端面角度 | 90 ± 0.1 ° |
※上記以外の特殊直径もご指定可能です。
※長さは、基本的に±20%の許容範囲を希望しますが、場合によって特別指定も可能です。
サファイアウェハー/Sapphire Wafer
同人産業のサファイアウェハーは、日本国内工場で生産している他、中国、韓国、台湾の優良メーカーにて委託生産しております。
特徴
- 直径:Φ1"、Φ1.5"、Φ2"、Φ2.5"、Φ3"、Φ4"、Φ4.5"、Φ5"、Φ6"、Φ8" 特別指定可能
- 厚さ:150μm~3mm、特別指定可能
- 結晶方位:C面(0001)、A面(11-20)、R面(-1012)、M面(10-10)
- 方位公差:±0.1°、オフ角指定可能
- 受注数量:1枚~
- 納期:3週間~、在庫品は即納可能
各サイズ標準仕様
項目 | 2 インチ | 3 インチ | 4 インチ | 6 インチ | 8 インチ |
---|---|---|---|---|---|
直径 | 50.8 ± 0.1mm | 76.2 ± 0.1mm | 100.0 ± 0.1mm | 150 ± 0.1mm | 200 ± 0.25mm |
厚さ | 430 ± 25 μm | 550 ± 25 μm | 650 ± 25 μm | 1300/1000 ± 25 μm | 1800/1500 ± 50 μm |
方位 | C 面 off0.2 ± 0.1 ° | C 面 ± 0.5 ° | |||
オリフラ | A面 ± 0.2 ° | A面 ± 0.5 ° | |||
オリフラ長さ | 16 ± 1mm | 22 ± 2mm | 30 ± 1mm | 47.5 ± 1mm | ノッチ (オリフラも可) |
表面仕上 | 研磨、 Ra ≤ 0.2nm | 研磨、 Ra ≤ 0.3nm | |||
裏面仕上 | ラッピング、 Ra ≤ 1.2μm | 研磨、 Ra ≤ 0.3nm | |||
TTV | ≤ 7 μ m | ≤ 10 μ m | ≤ 10 μ m | ≤ 15 μ m | ≤ 25 μ m |
BOW | ≤ 10 μ m | ≤ 15 μ m | ≤ 15 μ m | ≤ 20 μ m | ≤ 45 μ m |
PSS/PATTERNED SAPPHIRE SUBSTRATE
対応可能サイズ、対応可能数量
Φ2"、Φ4"、Φ6"
25枚~/Lot
10万枚/月(供給能力)
パターン例
例(2x1):
Bottom Width:2.8±0.15μm
Height:1.8±0.15μm
Pitch:3.0±0.1μm
サファイア特殊加工
加工種類
切断・スライス、研削・研磨、穴あけ・溝加工、面取り、膜付け加工、接着加工
半導体材料の素材から
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