シリコンカーバイド｜PRODUCT｜株式会社同人産業｜シリコン・サファイア・SiC・GaNなど半導体材料を加工も含めてご提供します。

シリコンカーバイド／SiC

炭化ケイ素（SiC）若しくは、シリコンカーバイドは、炭素（C）とケイ素（Si）が1対1で共有結合した結晶材料です。SiC半導体の最大特徴は、バンドギャップが3.25eVと従来のSi半導体に比べて3倍と広いことです。このため、絶縁破壊にいたる電界強度が3MV／cmと10倍程度大きくなります。又、熱伝導性がSiの3倍以上であり、300°C以上の高温においても電気的特性が安定しているばかりか、デバイス化した場合にはデバイス内部での電力損失をSi半導体の1／10近くまで抑えられます。更に、耐薬品性に優れ、放射線に対する耐性もSi半導体より高いという特徴を持っています。こうした特徴により、SiCは従来のSi半導体より小型、低消費電力、高効率のパワー素子、高周波素子、耐放射線性に優れた半導体材料として期待されています。
パワーデバイスのウェハーについては、これまでほぼピュアシリコンが使われてきました。そうして、耐圧600Vを境にSiCが台頭してくるとの傾向が強くなりました。とりわけ電鉄や発電用パワーコンディショナー、自動車などにそのアプリが拡大するとの見方が出てきております。
同人産業では、主に中国メーカーのSiC製品を代理販売しております。又、SiCのスライス、研削・研磨など各種精密加工も提供しております。

4H-SiC製法

昇華法（PVT、物理的気相輸送法）

4H単結晶SiC物性データー

用途

各種半導体基板：パワーデバイス、高周波デバイス、ヒートシンク、LED、UVセンサ、等

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  Φ2"SiC インゴット 4H-N

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  Φ6"SiC インゴット

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  Φ6"SiC インゴット

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  Φ8"SiC インゴット 4H-H、4 °0ff

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  Φ4"半絶縁SiCインゴット10～15㎜

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  Φ6"SiCインゴットAsGrown

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  Φ6"SiCインゴットAsGrown

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  4"→3"SiCサイズダウン加工

SiCウェハー／SiC Wafer

基本内容

• 直径：Φ2"、Φ4"、Φ6"、Φ8"
• 厚さ：150µm、350µm、500µm、600µm、900µm、特別指定可能
• ポリタイプ：4H
• MPD：≤0.5／cm²、≤5／cm²、≤10／cm²
• 導電性：N-Type、Semi-insulating
• 抵抗率：N-Type（0.015-0.028Ω・cm）、Semi-insulating（>1x10⁶Ω・cm）
• 面方位：<0001>0 ° ／4 °0ff ± 0.5 °
• 受注数量：1枚～
• ※生産能力：1万枚以上／月
• 納期：3週間～、在庫品は即納可能

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  Φ6"SiC Wafer

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  Φ6"SiC 研磨Wafer

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  Φ8"SiC Wafer

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  Φ8"SiC 研磨Wafer

各サイズ標準仕様

※厚み等の仕様内容は特別に指定することも可能でございます。

SiC加工

1. 特殊厚み加工
2. 特殊形状加工
3. Si面・C面研削・研磨加工　2”～8”
4. ダイシング加工

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  SiCダイシング加工

使用例

1. 基板用：LED基板、パワーデバイス基板、センサー用基板、他
2. 機械装置及び加工技術開発用：研削・研磨装置、レーザー加工装置、等

※アズスライス・ウェハー、SiCインゴット等もご提供可能です。