シリコンカーバイド|PRODUCT|株式会社同人産業|シリコン・サファイア・SiC・GaNなど半導体材料を加工も含めてご提供します。

PRODUCT

シリコンカーバイド/SiC

炭化ケイ素(SiC)若しくは、シリコンカーバイドは、炭素(C)とケイ素(Si)が1対1で共有結合した結晶材料です。SiC半導体の最大特徴は、バンドギャップが3.25eVと従来のSi半導体に比べて3倍と広いことです。このため、絶縁破壊にいたる電界強度が3MV/cmと10倍程度大きくなります。又、熱伝導性がSiの3倍以上であり、300°C以上の高温においても電気的特性が安定しているばかりか、デバイス化した場合にはデバイス内部での電力損失をSi半導体の1/10近くまで抑えられます。更に、耐薬品性に優れ、放射線に対する耐性もSi半導体より高いという特徴を持っています。こうした特徴により、SiCは従来のSi半導体より小型、低消費電力、高効率のパワー素子、高周波素子、耐放射線性に優れた半導体材料として期待されています。
パワーデバイスのウェハーについては、これまでほぼピュアシリコンが使われてきました。そうして、耐圧600Vを境にSiCが台頭してくるとの傾向が強くなりました。とりわけ電鉄や発電用パワーコンディショナー、自動車などにそのアプリが拡大するとの見方が出てきております。
同人産業では、主に中国メーカーのSiC製品を代理販売しております。又、SiCのスライス、研削・研磨など各種精密加工も提供しております。

6H/4H SiC製法

昇華法(PVT、物理的気相輸送法)

4H単結晶SiC物性データー

モース硬度 9.2
密度 3.21g / cm3
熱膨張係数 (4-5)x10-6 / K
屈折率@750nm no=2.61, ne=2.66
誘電率 c~9.66
熱伝導率
(N型、0.02Ω以下)
a~4.2 W/cm・K@298K
c~3.7 W/cm・K@298K
バンドギャップ 3.23 eV
破壊電界 (3-5)x106V / cm

用途

各種半導体基板:パワーデバイス、高周波デバイス、ヒートシンク、LED、UVセンサ、等

  • SiC Wafer

    SiC Wafer

  • Φ6"SiC インゴット

    Φ6"SiC インゴット

  • Φ4"半絶縁SiCインゴット10~15㎜

    Φ4"半絶縁SiCインゴット10~15㎜

SiCウェハー/SiC Wafer

基本内容

  • 直径:Φ2"、Φ3"、Φ4"、Φ6"、Φ8"
  • 厚さ:200µm、350µm、500µm、600µm、900µm、特別指定可能
  • ポリタイプ:4H、6H
  • MPD:≤1/cm2、≤5/cm2、≤10/cm2、≤30/cm2
  • 導電性:N-Type、Semi-insulating
  • 抵抗率:N-Type(0.015-0.028Ω・cm)、Semi-insulating(>1x106Ω・cm)
  • 面方位:<0001>0 ° /4 ° 0ff ± 0.5 °
  • 受注数量:1枚~
  • ※生産能力:1万枚以上/月
  • 納期:3週間~、在庫品は即納可能
  • Φ6"SiC Wafer

    Φ6"SiC Wafer

  • Φ6インチSiC 研磨ウェハー

    Φ6インチSiC 研磨ウェハー

各サイズ標準仕様

項目 2 インチ 3 インチ 4 インチ 6 インチ 8 インチ
ポリタイプ 6H/4H 4H 4H 4H 4H
導電タイプ N-Type、Semi-insulating
直径 50.8 ± 0.5mm 76.2 ± 0.5mm 100 ± 0.3mm 150 ± 0.3mm 200 ± 0.3mm
厚さ 350 ± 25 µ m、500 ± 25 µ m
MPDグレード ≤ 0.5/cm2、 ≤ 5/cm2、 ≤ 10/cm2、 ≤ 30/cm2
FWHM <30arcsec
有効面積 ≧ 90%
面方位 <0001>0 °off±0.5°、<0001>4 ° off ± 0.5 °
主オリフラ <11-20> ± 5 °
主オリフラ長さ 16 ± 2mm 22 ± 2mm 32.5 ± 2mm 47.5 ± 2.5mm Notch
副オリフラ 主オリフラより時計回り90°± 5°( Si面を上にする)
副オリフラ長さ 8 ± 2mm 11 ± 2mm 18 ± 2mm
表面仕上 CMP 研磨、 Ra ≤ 0.3nm
裏面仕上 鏡面研磨、Ra ≤ 1nm
TTV ≤10 µ m ≤10 µ m ≤15 µ m ≤15 µ m ≤15 µ m
Warp ≤15 µ m ≤20 µ m ≤25 µ m ≤40 µ m ≤70 µ m

※厚み等の仕様内容は特別に指定することも可能でございます。

使用例

  1. 基板用:LED基板、パワーデバイス基板、センサー用基板、他
  2. 機械装置及び加工技術開発用:研削・研磨装置、レーザー加工装置、等

※アズスライス・ウェハー、SiCインゴット等もご提供可能です。

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