シリコンカーバイド／SiC
炭化ケイ素（SiC）若しくは、シリコンカーバイドは、炭素（C）とケイ素（Si）が1対1で共有結合した結晶材料です。SiC半導体の最大特徴は、バンドギャップが3.25eVと従来のSi半導体に比べて3倍と広いことです。このため、絶縁破壊にいたる電界強度が3MV／cmと10倍程度大きくなります。又、熱伝導性がSiの3倍以上であり、300°C以上の高温においても電気的特性が安定しているばかりか、デバイス化した場合にはデバイス内部での電力損失をSi半導体の1／10近くまで抑えられます。更に、耐薬品性に優れ、放射線に対する耐性もSi半導体より高いという特徴を持っています。こうした特徴により、SiCは従来のSi半導体より小型、低消費電力、高効率のパワー素子、高周波素子、耐放射線性に優れた半導体材料として期待されています。
パワーデバイスのウェハーについては、これまでほぼピュアシリコンが使われてきました。そうして、耐圧600Vを境にSiCが台頭してくるとの傾向が強くなりました。とりわけ電鉄や発電用パワーコンディショナー、自動車などにそのアプリが拡大するとの見方が出てきております。
同人産業では、主に中国メーカーのSiC製品を代理販売しております。又、SiCのスライス、研削・研磨など各種精密加工も提供しております。
4H-SiC製法
昇華法（PVT、物理的気相輸送法）
4H単結晶SiC物性データー
| モース硬度 | 9.2 | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 密度 | 3.21g ／ cm3 | |||||
| 熱膨張係数 | （4-5）x10-6 ／ K | |||||
| 屈折率@750nm | no=2.61, ne=2.66 | |||||
| 誘電率 | c～9.66 | |||||
| 熱伝導率 （N型、0.02Ω以下） |
a~4.2 W／cm・K@298K c~3.7 W／cm・K@298K |
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| バンドギャップ | 3.23 eV | |||||
| 破壊電界 | （3-5）x106V ／ cm | |||||
用途
各種半導体基板：パワーデバイス、高周波デバイス、ヒートシンク、LED、UVセンサ、等
Φ2"SiC インゴット 4H-N
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Φ6"SiC インゴット
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Φ6"SiC インゴット
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Φ8"SiC インゴット 4H-H、4 °0ff
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Φ4"半絶縁SiCインゴット10～15㎜
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Φ6″SiCインゴットAsGrown
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Φ6″SiCインゴットAsGrown
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4″→3″SiCサイズダウン加工
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Φ8インチ焼結多結晶SiC
SiCウェハー／SiC Wafer
基本内容
- 直径：Φ2"、Φ4"、Φ6"、Φ8"、Φ12"
- 厚さ：150µm、350µm、500µm、600µm、900µm、特別指定可能
- ポリタイプ：4H
- MPD：≤0.1／cm2、≤0.5／cm2、≤10／cm2
- 導電性：N-Type、Semi-insulating
- 抵抗率：N-Type（0.015-0.028Ω・cm）、Semi-insulating（>1×106Ω・cm）
- 面方位：<0001>0 ° ／4 °0ff ± 0.5 °
- 受注数量：1枚～
- ※生産能力：1万枚以上／月
- 納期：3週間～、在庫品は即納可能
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Φ6"SiC Wafer
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Φ6"SiC 研磨Wafer
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Φ8"SiC Wafer
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Φ8"SiC 研磨Wafer
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Φ12"SiC Wafer
各サイズ標準仕様
| 項目 | 2 インチ | 4 インチ | 6 インチ | 8 インチ |
|---|---|---|---|---|
| ポリタイプ | 6H／4H | 4H | 4H | 4H |
| 導電タイプ | N-Type、Semi-insulating(半絶縁) | |||
| 直径 | 50.8 ± 0.5mm | 100 ± 0.3mm | 150 ± 0.3mm | 200 ± 0.3mm |
| 厚さ | 350 ± 25 µ m、500 ± 25 µ m | |||
| MPDグレード | ≤ 0.5／cm2、 ≤ 5／cm2、 ≤ 10／cm2 | |||
| FWHM | ＜30arcsec | |||
| 有効面積 | ≧ 90% | |||
| 面方位 | N-Type:＜0001＞4 ° off ± 0.5 °/ Semi-insulating:＜0001＞0 °off±0.5° | |||
| 主オリフラ | ＜10-10＞ ± 5 ° | |||
| 主オリフラ長さ | 16 ± 2mm | 32.5 ± 2mm | 47.5 ± 2.5mm | Notch |
| 副オリフラ | 主オリフラより時計回り90°± 5°（ Si面を上にする） | |||
| 副オリフラ長さ | 8 ± 2mm | 18 ± 2mm | 無 | 無 |
| 表面仕上 | CMP 研磨、 Ra ≤ 0.3nm | |||
| 裏面仕上 | 鏡面研磨、Ra ≤ 1nm | |||
| TTV | ≤10 µ m | |||
| Warp | ≤15 µ m | ≤25 µ m | ≤40 µ m | ≤70 µ m |
※厚み等の仕様内容は特別に指定することも可能でございます。
SiC加工
- 特殊厚み加工
- 特殊形状加工
- Si面・C面研削・研磨加工 2”～8”
- ダイシング加工
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SiCダイシング加工
使用例
- 基板用：LED基板、パワーデバイス基板、センサー用基板、他
- 機械装置及び加工技術開発用：研削・研磨装置、レーザー加工装置、等
※アズスライス・ウェハー、SiCインゴット等もご提供可能です。
エピウェハー／Epi Wafer
各サイズ標準仕様
| Parameter | unit | 6インチ | 8インチ | |
| Type | Conductivity / Dopant | – | N-type / Nitrogen | |
| Buffer Layer | Thickness | μm | 1 | |
| Thickness Tolerance | % | ±20% | ||
| Concentration | cm-3 | 1.00E+18 | ||
| Concentration Tolerance | % | ±20% | ||
| 1st Epi Layer | Thickness Average | μm | 6-18 | |
| Thickness Uniformity (σ/mean) | % | ≤2.0 | ||
| Thickness Tolerance ((Spec-Max、Min)/Spec) | % | ≤4.0 | ||
| Net Average Doping | cm-3 | 8E+15 ~ 2E+16 | ||
| Net Doping Uniformity(σ/mean) | % | ≤3.0 | ||
| Net Doping Tolerance ((Spec-Max、Min)/Spec | % | ≤6.0 | ||
| Epitaxial Wafer Shape | Bow | μm | ≤±20.0 | ±30.0 |
| Warp | μm | ≤30.0 | ≤50.0 | |
| TTV | μm | ≤10.0 | ||
| LTV | μm | ≤2.0 (10mm×10mm) | ≤4.0 (10mm×10mm) | |
| General Characteristics | Scratches | – | Cumulative length≤1/2 Wafer diameter | |
| Edge Chips | – | ≤2 chips, Each radius ≤1.5mm | ||
| Defect Inspection | % | ≤98% (2X2 Defects include Micropipe, Carrot,Triangles, Downfalls,Linear/IG-SF, BPD) | ≤97% (2X2 Defects include Micropipe, Carrot,Triangles, Downfalls, Linear/IG-SF, BPD) | |
| Surface Metals Contamination | atoms/cm2 | ≤5E10 (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn,Hg,Na,K, Ti, Ca &Mn) | ||
| C Face | Packing Specification | pcs/ box | Multi-wafer cassette or single wafer container | |
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